Моя заявка (0)

HXY100N03D, 30V 100A 5.5m-@10V,30A 2.5V@250uA N Channel 2295pF@15V TO-252-2L MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015895532
Артикул
HXY100N03D
Бренд
HXY MOSFET
Type
N Channel
Вес, г
0.31
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 25,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.31
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.075nF@15V
Continuous Drain Current (Id)100A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V, 30A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4mΩ@10V, 30A

Техническая документация