Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238374
Артикул
HUFA76419D3ST-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.41
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
100W
Цена по запросу
(от 75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.41
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)100W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)11nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.5nF@25V
Continuous Drain Current (Id)45A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)60pF@25V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25mΩ@10V, 15A