Моя заявка (0)
HUF76629D3ST, MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004835185
Артикул
HUF76629D3ST
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
HUF76629D3S
Fall Time:
60 ns
Цена по запросу
(от 620 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:HUF76629D3S
Fall Time:60 ns
Rise Time:28 ns
Вес, г0.4
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Part # Aliases:HUF76629D3ST_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation150Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностилогические уровни
Pd - Power Dissipation:110 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:6.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.041Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:41.5 mOhms
Линейка ПродукцииUltraFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.041Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.054 Ом

Техническая документация