HUF76429S3ST, MOSFETs 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442924
- Артикул
- HUF76429S3ST
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 74 ns
- Rise Time:
- 203 ns
Цена по запросу
(от 215,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 74 ns |
| Rise Time: | 203 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом |