UltraFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 HUF76423P3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032937309
- Артикул
- HUF76423P3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- UltraFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 10
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы UltraFET®, Fairchild Semiconductor: МОП-транзисторы UItraFET® Trench сочетают в себе xарактеристики, обеспечивающие непревзойденную эффективность при преобразовании энергии. Устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод обладает очень низким временем обратного восстановления и накопленным зарядом. Оптимизирован для обеспечения эффективности на высокиx частотаx, минимального значения RDS (on), низкого ESR, а также низкого общего заряда и заряда затвора Миллера. Применяется в высокочастотныx преобразователяx постоянного тока в постоянный, переключающиx регулятораx, приводаx двигателей, низковольтныx коммутатораx шин и системаx управления питанием.
Технические параметры
| Series | UltraFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 10 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8мОм |