HUF76407D3ST, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003141348
- Артикул
- HUF76407D3ST
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.4
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- HUF76407D3S
Цена по запросу
(от 197 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.4 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | HUF76407D3S |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 2.39 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Power Dissipation | 38Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 45 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 32 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.077Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 38Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.077Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.077 Ом |