Моя заявка (0)
HUF76407D3ST, Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306784
Артикул
HUF76407D3ST
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
1
Длина
6.73 mm
Серия
HUF76407D3S
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 260 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г1
Длина6.73 mm
СерияHUF76407D3S
Channel TypeN Channel
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
Power Dissipation38Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада45 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания32 ns
Drain Source On State Resistance0.077Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока11А
Рассеиваемая Мощность38Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности38 W
Id - непрерывный ток утечки11 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252AA
Vgs - напряжение затвор-исток16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения43 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.077Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация