HUF75852G3, MOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835183
- Артикул
- HUF75852G3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RDS-on
- 16@10V mOhm
- Тип
- MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Вес, г
- 6.39
Цена по запросу
(от 1 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch МОП-транзистор
Технические параметры
| RDS-on | 16@10V mOhm |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Вес, г | 6.39 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | HUF75852G3 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 20.82 mm |
| Ширина | 4.82 mm |
| Упаковка | Tube |
| Typical Fall Time | 107 ns |
| Typical Rise Time | 151 ns |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 107 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 82 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 480 nC |
| Время нарастания | 151 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Другие названия товара № | HUF75852G3_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Коммерческое обозначение | UltraFET |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом |