UltraFET N-Channel MOSFET, 75 A, 100 V, 3-Pin TO-247 HUF75652G3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014595712
- Артикул
- HUF75652G3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- HUF75652G3
- Fall Time:
- 190 ns
Цена по запросу
(от 2 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | HUF75652G3 |
| Fall Time: | 190 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 195 ns |
| Tradename: | UltraFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | HUF75652G3_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 475 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 515W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 515 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 475nC@20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.585nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 75A |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 515 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |