HUF75645P3, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 65А, 310Вт, TO220,
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518180
- Артикул
- HUF75645P3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.7mm
- Series
- UltraFET
Цена по запросу
(от 454,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы UItraFET® Trench сочетают в себе xарактеристики, обеспечивающие непревзойденную эффективность при преобразовании энергии.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.7mm |
| Series | UltraFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.5 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | to220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | UltraFET |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 97 |
| Typical Rise Time (ns) | 117 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 106 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 198@20V|106@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 41 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 75 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3790@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 14@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |