HUF75345P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 55В, 75А, 325Вт, TO220, UltraFET®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062583694
- Артикул
- HUF75345P3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 75A; Напряжение источника стока Vds: 55 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,006 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 215 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220AB; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 75A; Текущая температура: 25°C; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Количество транзисторов: 1; Максимальное сопротивление во включенном состоянии: 7 Мом; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +175°C; Типовое напряжение Vds: 55 В; Максимальное напряжение Vgs: 4 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В; Максимальное напряжение Vgs: 3 В
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | HUF75345P3 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 26 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 118 ns |
| Tradename | UltraFET |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.98 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | HUF75345P3_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | UltraFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Standard Package Name | TO |
| Pd - Power Dissipation | 325 W |
| Typical Fall Time (ns) | 26 |
| Typical Rise Time (ns) | 118 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 325000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 125 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 220@20V|125@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 1450 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.25 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 58 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 14 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 75 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4000@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 450@25V |