HUF75344G3, MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835172
- Артикул
- HUF75344G3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.82 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой HUF75344G3 от производителя ONSEMI — это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 75 А и напряжением сток-исток 55 В, этот транзистор обеспечивает мощность до 285 Вт, при этом отличаясь низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,008 Ом. Устройство заключено в надежный корпус TO247, который подходит для широкого спектра электронных применений. Идеален для использования в силовой электронике, блоках питания и управления двигателями. Продукт HUF75344G3 гарантирует стабильную работу и долговечность ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 75 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 285 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.008 Корпус TO247
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.82 mm |
| Height | 20.82 mm |
| Length | 15.87 mm |
| Series | HUF75344G3 |
| Тип | MOSFET |
| Fall Time | 57 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 125 ns |
| Tradename | UltraFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 6.39 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | HUF75344G3 |
| Unit Weight | 0.225401 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-247 |
| Высота | 20.82 mm |
| Ширина | 4.82 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | HUF75344G3_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 57 ns |
| Pd - Power Dissipation | 285 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 285 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 175 nC @ 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Время нарастания | 125 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 285 W |
| Другие названия товара № | HUF75344G3_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Коммерческое обозначение | UltraFET |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 285 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |