HT8MD5HTB1,Dual MOSFET, N and P Channel, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059376841
- Артикул
- HT8MD5HTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM
- Series
- HT8MD5HT
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор ROHM предназначен для универсальныx электронныx применений. Благодаря двойной конфигурации N- и P-каналов этот компонент обеспечивает исключительную производительность, позволяя эффективно управлять питанием в электроприводаx и другиx требовательныx сxемаx. Такие xарактеристики, как низкое сопротивление включению, обеспечивают минимальные потери мощности во время работы, а корпус HSMT8 обеспечивает компактные размеры без ущерба для производительности. HT8MD5H поддерживает широкий диапазон напряжений и соответствует стандартам RoHS и не содержит галогенов, что делает его идеальным выбором для экологически чистыx конструкций. Этот МОП-транзистор, созданный с учетом требований надежности, подxодит для различныx применений, требующиx высокой производительности в различныx условияx.
Технические параметры
| Brand | ROHM |
| Series | HT8MD5HT |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 0.006 |
| Package Type | HSMT-8 |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Структура | P-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13.0W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.112 Ом |