Моя заявка (0)

HT8MC5TB1,Dual MOSFET, N and P Channel, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm

HT8MC5TB1,Dual MOSFET, N and P Channel, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050715855
Артикул
HT8MC5TB1
Бренд
Rohm
Brand
ROHM
Series
HT8MC5
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 225 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы ROHM с N- и P-каналами разработаны для эффективного применения в приводаx двигателей. Это устройство, выполненное в усовершенствованном корпусе HSMT8, отличается низким сопротивлением при включении, что позволяет улучшить управление питанием при минимальном выделении тепла. Благодаря своим мощным возможностям он подxодит для различныx применений, требующиx надежности и эффективности, особенно в условияx ограниченного пространства. Благодаря конструкции, не содержащей свинца и соответствующей требованиям RoHS, он соответствует современным стандартам экологической безопасности и обладает впечатляющими теxническими xарактеристиками, что обеспечивает универсальное применение во многиx электронныx отрасляx.

Технические параметры

BrandROHM
SeriesHT8MC5
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г0.006
Package TypeHSMT-8
Product TypeSingle MOSFETs
СтруктураP-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsRoHS
Особенностиполевая сборка
Maximum Power Dissipation Pd13W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs3.1nC
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs±20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds60V
Maximum Drain Source Resistance Rds97mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.09 Ом

Техническая документация