Моя заявка (0)

HT8KE6HTB1,Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm

HT8KE6HTB1,Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493310
Артикул
HT8KE6HTB1
Бренд
Rohm
Вес, г
0.01
No. of Pins
8Pins
Channel Type
Dual N Channel
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 265 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
No. of Pins8Pins
Channel TypeDual N Channel
СтруктураN-Channel
Transistor Case StyleHSMT
Особенностиполевая сборка
Operating Temperature Max150°C
Power Dissipation N Channel14W
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel12.5A
Drain Source On State Resistance N Channel6000µohm
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.006 Ом

Техническая документация