Моя заявка (0)

HT8KE5TB1, MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE5TB1, MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024359707
Артикул
HT8KE5TB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 127,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HSMT-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:2.9 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:13 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:193 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В