HT8KC6TB1,Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046438755
- Артикул
- HT8KC6TB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 4.4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5.7 ns
Цена по запросу
(от 214 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 4.4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5.7 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HSMT-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 7.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 14 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом |