HSW6800, 30V 4A 32m-@4.5V,4A 1.4W 900mV@250uA 73pF@15V 2 N-Channel 880pF@15V 9.5nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015756935
- Артикул
- HSW6800
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- 2 N-Channel
Цена по запросу
(от 17,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 4 А 32mOhm@4.5V,4 А 1,4 Вт 900 мВ при 250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-23-6, ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.5nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 880pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 73pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32mΩ@4.5V, 4A |