Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238501
Артикул
HSP80N20
Бренд
HUASHUO
Вес, г
2.75
Корпус
TO-220
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
370W
Цена по запросу
(от 184,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.75
КорпусTO-220
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)370W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)115nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)7.49nF@50V
Continuous Drain Current (Id)80A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)37pF@50V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт370
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)20mΩ@10V, 30A