Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238503
Артикул
HSP110P04
Бренд
HUASHUO
Вес, г
2.75
Корпус
TO-220
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
200W
Цена по запросу
(от 131 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.75
КорпусTO-220
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)200W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)115nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)7.09nF@20V
Continuous Drain Current (Id)110A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)722pF@20V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.4mΩ@10V, 20A