HSM8P10, 100V 8A 3.1W 110m-@10V,6A 2.5V@250uA 25pF@20V P Channel 1080pF@20V 19.8nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOP-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015803855
- Артикул
- HSM8P10
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.12
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 8 А 3,1 Вт 110 Мом при 10 В, 6 А 2.5V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SOP-8 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.12 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19.8nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.08nF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@20V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110mΩ@10V, 6A |