HSM1562, 60V 4.8A 1.5W 32m-@10V,4A 2.5V@250uA 64pF@15V 2 N-Channel 1378pF@15V 12.6nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOP-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015745738
- Артикул
- HSM1562
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.23
- Структура
- 2 N-Channel
- Transistor Polarity
- 2 N Channel(Double)
Цена по запросу
(от 32,64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 4,8 А 1,5 Вт 32 Мом при 10 В, 4 А 2.5V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOP-8 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.23 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 32mО© @ 4A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.8A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32mΩ@10V, 4A |