Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238476
Артикул
HSM10N15A
Бренд
HUASHUO
Вес, г
0.22
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
2.7W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 63,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.22
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2.7W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)23nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.19nF@75V
Continuous Drain Current (Id)10A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4pF@75V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)35mΩ@10V, 4A