HSK10N06, 60V 10A 40m-@10V,10A 2W 3V@250uA 226pF@25V N Channel 3427pF@25V 53nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-89 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017567519
- Артикул
- HSK10N06
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- sot-89
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 17,01 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60В 10А 40 Мом при 10 В, 10А 2 Вт 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-89 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | sot-89 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 53nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.427nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 226pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@10V, 10A |