Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238508
Артикул
HSH120P03
Бренд
HUASHUO
Вес, г
2
Корпус
TO-263
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
200W
Цена по запросу
(от 123,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2
КорпусTO-263
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)200W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)125nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)7.3nF@15V
Continuous Drain Current (Id)120A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)530pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5mΩ@10V, 20A