HSCB20D03, 20V 3A 900m-@4.5V,3A 1.5W 750mV@250uA 37pF@10V 2 P-Channel 331pF@10V 3.3nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN(2x2) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015795256
- Артикул
- HSCB20D03
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- 2 P-Channel
- Вес, г
- 0.04
- Структура
- 2 P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 17,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 3 А 900mOhm@4.5V,3 А 1,5 Вт 750 мВ при 250uA, 2 P-канальныx МОП-транзистора DFN-6-EP(2x2), ROHS
Технические параметры
| Type | 2 P-Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Структура | 2 P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.3nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 331pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 37pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 750mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 900mΩ@4.5V, 3A |