HSCB2016, 20V 16A 9m-@4.5V,16A 18W 700mV@250uA 100pF@10V N Channel 910pF@10V 12nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN(2x2) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015780443
- Артикул
- HSCB2016
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.03
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 16 А 9mOhm@4.5V,16 А 18 Вт 700 мВ при 250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-6L(2x2), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.03 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 18W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 910pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 700mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9mΩ@4.5V, 16A |