HSBG2103, 20V 650mA 520m-@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA P Channel DFN1006 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015803595
- Артикул
- HSBG2103
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- P-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 150mW
Цена по запросу
(от 6,72 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 650 мА 520mOhm@4.5V, 650 мА 150 МВт, 1 В при 250 мкА, P-канальные полевые транзисторы DFN1006-3, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 650mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 520mΩ@4.5V, 650mA |