HSBB02P15, 150V 2A 640m-@10V,1A 7.7W 3V@250uA 23pF@75V P Channel 400pF@75V 4.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK3x3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015800593
- Артикул
- HSBB02P15
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.13
- Корпус
- PRPAK3x3
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 28,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150 В 2A 640 Мом при 10 В, 1A 7,7 Вт 3 В при 250uA P-канальные полевые транзисторы PQFN-8(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.13 |
| Корпус | PRPAK3x3 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 7.7W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 23pF@75V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 7.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 640mΩ@10V, 1A |