HSBA8066, 80V 60A 8.7m-@10V,10A 52W 2.3V@250uA 12pF@40V N Channel 1738pF@40V 29nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5x6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015777920
- Артикул
- HSBA8066
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.15
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 83,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80 В 60 А 8.7mOhm@10V,1052 Вт 2.3V@250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(5.1x5.7) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.15 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.738nF@40V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF@40V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.7mΩ@10V, 10A |