HSBA6115, 60V 35A 25m-@10V,18A 52.1W 2.5V@250uA 141pF@15V P Channel 3.635nF@15V 25nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5x6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015748608
- Артикул
- HSBA6115
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.17
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 70,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 35 А 25 Мом при 10 В, 18 А 52,1 Вт 2.5V@250uA P-канальные полевые транзисторы DFN-8(5.1x5.7) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.17 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.635nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 141pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@10V, 18A |