Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238487
Артикул
HSBA6076
Бренд
HUASHUO
Вес, г
0.11
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
110W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 119,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.11
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)110W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)105nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)5.98nF@30V
Continuous Drain Current (Id)150A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)28pF@30V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6mΩ@10V, 20A