HSBA6066, 60V 78A 4.4m-@10V,30A 75W 1.65V@250uA 25pF@30V N Channel 1.67nF@30V 33nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5X6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015771130
- Артикул
- HSBA6066
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.26
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 51,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 78 А 4.4mOhm@10V,30A 75 Вт 1.65V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN-8(5.1x5.7) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.26 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 33nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.67nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 78A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@30V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.65V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 78 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.4mΩ@10V, 30A |