Моя заявка (0)

HSBA6040, 60V 116A 5.2m-@10V,30A 113W 2.5V@250uA N Channel PRPAK5x6 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015751501
Артикул
HSBA6040
Бренд
HUASHUO
Type
N Channel
Вес, г
0.14
Структура
N-Channel
Transistor Polarity
N Channel
Цена по запросу
(от 108 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 116 А 5.2mOhm@10V,30A 113 Вт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы PRPAK(5x6) ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.14
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Power Dissipation (Pd)113W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage2.5V @ 250uA
Continuous Drain Current (Id)116A
Rds On - Drain-Source Resistance5.2mО© @ 30A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)113W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C116A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А116
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт113
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.2mΩ@10V, 30A

Техническая документация