HSBA3052, 30V 52A 24W 6.3m-@10V,20A 2.5V@250uA N Channel DFN(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015784319
- Артикул
- HSBA3052
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.13
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 52 А 24 Вт 6.3mOhm@10V,20A 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы TDSON-8(6x5) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.13 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 24W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.3mО© @ 20A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 24W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 52A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.3mΩ@10V, 20A |