HSBA20N15S, Транзистор MOSFET, N канальный, 150V 23A 72.6W 56m-@10V,10A 2.5V@250uA
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015800575
- Артикул
- HSBA20N15S
- Бренд
- HUASHUO
- Type
- N Channel
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Вес, г
- 0.14
- Manufacturer
- HUASHUO
Цена по запросу
(от 66,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150 В 23 А 72,6 Вт 56 Мом при 10 В, 10 А 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы PRPAK(5x6) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Вес, г | 0.14 |
| Manufacturer | HUASHUO |
| Package / Case | PRPAK5*6 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 72.6W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Continuous Drain Current (Id) | 23A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@10V, 10A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 72.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 56mΩ@10V, 10A |