HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065487312
- Артикул
- HS8K11TB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 5.1 ns, 7.5 ns
Цена по запросу
(от 182 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Nch+Nch Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.1 ns, 7.5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSML3030L-10 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 11.1 nC, 20.2 nC |
| Время нарастания | 10.8 ns, 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | HS8K11 |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A, 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.8 mOhms, 10.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26.8 ns, 47.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.4 ns, 13.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |