HP8ME5TB1,Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046436269
- Артикул
- HP8ME5TB1
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.074
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N and P Channel
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 201 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.074 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N and P Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Case Style | HSOP |
| Особенности | полевая сборка |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 20W |
| Power Dissipation P Channel | 20W |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 100V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 100V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 8.5A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 8A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.193ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.273ohm |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.148 Ом |