Моя заявка (0)

HP8 Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSOP8 HP8MC5TB1

HP8 Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSOP8 HP8MC5TB1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049944715
Артикул
HP8MC5TB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
3.1 ns, 43 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4.8 ns, 12 ns
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:3.1 ns, 43 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4.8 ns, 12 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HSOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:3.1 nC, 17.3 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Pd - Power Dissipation:20 W
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns, 9.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns, 82 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.1 S, 3.3 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В