HP8M51TB1, MOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059558935
- Артикул
- HP8M51TB1
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.78
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 401 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100 NCH+PCH POWER
Технические параметры
| Вес, г | 0.78 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns, 19 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 15 nC, 26.2 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms, 290 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns, 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |