HP8M31TB1, MOSFETs Transistor, 60V Nch+Pch Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726099
- Артикул
- HP8M31TB1
- Бренд
- Rohm
- Width
- 5.8mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- HP8M31
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 257,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Width | 5.8mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | HP8M31 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 65 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | HSOP8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-457-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Maximum Power Dissipation | 7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V(N Channel), 38 nC @ 10 V(P Channel) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V, ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3(N Channel)V, 3(P Channel)V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1(N Channel)V, 1(P Channel)V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 73 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |