Моя заявка (0)

HP8K Dual N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V, 8-Pin HSOP8 HP8KE7TB1

HP8K Dual N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V, 8-Pin HSOP8 HP8KE7TB1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049953243
Артикул
HP8KE7TB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
18 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 486 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:18 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOP-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:26 W
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:44 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:9 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В