HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069148372
- Артикул
- HP8KA1TB
- Бренд
- Rohm
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 40 ns, 40 ns
Цена по запросу
(от 154,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 40 ns, 40 ns |
| Rise Time: | 30 ns, 30 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOP-8 |
| Part # Aliases: | HP8KA1 |
| Transistor Type: | 2 N-channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns, 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns, 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S, 14 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms, 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |