Моя заявка (0)
HP8KA1TB, MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004638407
Артикул
HP8KA1TB
Бренд
Rohm
Type:
Power MOSFET
Brand:
ROHM Semiconductor
Product:
MOSFETs
Fall Time:
40 ns, 40 ns
Цена по запросу
(от 139,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

Type:Power MOSFET
Brand:ROHM Semiconductor
Product:MOSFETs
Fall Time:40 ns, 40 ns
Rise Time:30 ns, 30 ns
Вес, г0.77
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOP-8
Part # Aliases:HP8KA1
Transistor Type:2 N-channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns, 25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:85 ns, 85 ns
Id - Continuous Drain Current:14 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:14 S, 14 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms, 7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В