HN4C51J(TE85L.F), Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000615540
- Артикул
- HN4C51J(TE85L.F)
- Бренд
- Toshiba
- RoHS
- Details
- Brand
- Toshiba
- Series
- HN4C51
- Packaging
- Cut Tape
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Toshiba |
| Series | HN4C51 |
| Packaging | Cut Tape |
| Вес, г | 0.01 |
| Unit Weight | 0.000494 oz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-25-5 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 700 |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |