HN4A51JTE85LF, 120V 300mW 200@2mA,6V 100mA PNP SC-74A(SOT-753) BIpolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945385
- Артикул
- HN4A51JTE85LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- HN4A51
- Структура
- pnp
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | HN4A51 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-25-5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |