HN1C03FU-B,LF, 20V 350@4mA,2V 200mW 300mA NPN TSSOP-6(SC-88)SOT-363 Bipolar (BJT)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048300099
- Артикул
- HN1C03FU-B,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.09
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | US-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 1200 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 25 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 42 mV |