HN1C03F-B(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070089052
- Артикул
- HN1C03F-B(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- HN1C03
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | HN1C03 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 42 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |