HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 1PCSNPN&1PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601895
- Артикул
- HN1B04FE-GR,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- HN1B04
- Transistor Type
- NPN,PNP
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | HN1B04 |
| Transistor Type | NPN,PNP |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 100mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz, 80 MHz |