HN1B01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072526381
- Артикул
- HN1B01FU-GR,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- HN1B01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | HN1B01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |